SS32-E3/57T – Diodo Schottky de Potencia, Alta Eficiencia, 30V, 3A, DO-214AC

El SS32-E3/57T es un diodo de barrera Schottky de alta potencia y baja caída de tensión directa perteneciente a la serie SS3 fabricado por Vishay General Semiconductor Diseñado en un encapsulado de montaje superficial DO-214AC (SMA), este componente destaca por su excelente capacidad de conducción de corriente y bajas pérdidas por conmutación, siendo ideal para aplicaciones de rectificación secundaria y protección en circuitos de alta densidad

Características principales

Tipo: Diodo de barrera Schottky de potencia

Tensión máxima de corriente continua inversa (Vr): 30 V

Corriente directa media rectificada (Io): 3 A

Caída de tensión directa máxima (Vf): 0.5 V a 3 A con alta eficiencia energética

Corriente de sobretensión directa pico (Ifsm): 100 A (Onda senoidal pura de 8.3 ms)

Encapsulado: DO-214AC (SMA) de bajo perfil para montaje superficial (SMD), sufijo 57T = empaque en cinta y carrete estándar de 7 pulgadas

Tecnología de barrera: Anillo de protección (Guardring) integrado para una mayor protección contra tensiones transitorias

Cumplimiento normativo: Libre de plomo, conforme a la directiva RoHS y apto para procesos de soldadura automática

Aplicaciones

Rectificación de salida en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de baja tensión

Convertidores CC-CC (DC-DC) inversores y elevadores de alta frecuencia

Diodo de libre circulación (freewheeling) en inversores y circuitos de control de motores

Protección contra inversión de polaridad en sistemas alimentados por baterías

Sistemas de gestión de energía en equipos portátiles y de telecomunicaciones