SI7898DP-T1-E3 (Vishay) es un MOSFET de canal N de 150 V en encapsulado PowerPAK SO-8.
- VDS 150 V
- RDS(on) máx. 0,085 Ω a VGS = 10 V
- RDS(on) máx. 0,095 Ω a VGS = 6 V
- Optimizado para PWM · Rg 100 % verificada
Datos según datasheet Vishay Si7898DP.
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