SI2301BDS-T1-E3 – Transistor MOSFET de Canal P, -20V, -2.8A, SOT-23

El SI2301BDS-T1-E3 es un transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de canal P de la familia TrenchFET fabricado por Vishay Siliconix Diseñado en un encapsulado miniatura SOT-23 de montaje superficial, este componente destaca por su resistencia en conducción extremadamente baja (RDS(on)) a tensiones de compuerta muy pequeñas, lo que permite una gestión de energía eficiente con pérdidas mínimas en diseños electrónicos portátiles y de espacio reducido

Características principales

Tipo: Transistor MOSFET de canal P de alta velocidad

Tensión drenaje-fuente (Vds): -20 V

Corriente continua de drenaje (Id): -2.8 A a una temperatura de 25°C

Resistencia drenaje-fuente en conducción (Rds(on)): 0.090 Ω con una tensión de compuerta de -4.5V

Tensión umbral de compuerta (Vgs(th)): -0.4V a -1.0V ideal para lógica de baja tensión

Potencia de disipación máxima (Pd): 1.25 W en condiciones óptimas de montaje

Encapsulado: SOT-23 (TO-236) de 3 pines para montaje superficial (SMD), sufijo E3 = libre de plomo y compatible con RoHS

Protección: Excelente robustez contra transitorios ESD integrada según la tecnología TrenchFET

Aplicaciones

Interruptor de carga y control de energía en dispositivos móviles y portátiles

Circuitos de protección contra inversión de polaridad de baterías

Gestión de encendido y apagado de periféricos en sistemas embebidos

Convertidores CC-CC (DC-DC) de tamaño compacto y alta eficiencia

Controladores de línea y actuadores de pequeña potencia en automatización electrónica