Memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona (SDRAM) de bajo voltaje (DDR3L) con una densidad de 4 Gb. Este componente de alto rendimiento está diseñado para el almacenamiento temporal de datos y procesamiento de alta velocidad en sistemas computacionales que requieren eficiencia energética.

Especificaciones clave

• Capacidad: 4 Gb (256 Meg x 16).

• Voltaje: 1.35V (compatible con retroactividad a 1.5V).

• Velocidad: DDR3-1866 (Tiempo de ciclo de 1.07ns) con Latencia CAS 13.

• Configuración: 8 bancos internos para operaciones concurrentes.

• Encapsulado: 96-ball FBGA (9mm x 14mm) libre de halógenos (Package Code: TW).

Uso común

Se integra comúnmente en sistemas embebidos de alto rendimiento, equipos de redes, decodificadores (set-top boxes) y dispositivos de computación industrial que priorizan el bajo consumo de energía.

• Fabricante: Micron Technology

• Revision: P

• Temperatura de operación: 0°C a +95°C (Comercial)