HUF75329S3ST – MOSFET Canal N, 100V, 75A, D-PAK (TO-252)
El HUF75329S3ST es un transistor MOSFET de canal N de alta corriente fabricado por Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor), en encapsulado D-PAK (TO-252) de montaje superficial. Diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia de alta eficiencia donde se requiere baja resistencia en conducción y alta corriente.
Características principales:
Tipo: MOSFET canal N
Tensión drenador-surtidor (VDS): 100V
Corriente de drenador (ID): 75A
Resistencia en conducción (RDS(on)): baja (ultraFET technology)
Encapsulado: D-PAK / TO-252 (SMD) con pad térmico
Alta velocidad de conmutación
Diodo body integrado de recuperación rápida
Compatible con procesos de soldadura por reflujo
Aplicaciones:
Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
Conversores DC-DC de alta corriente
Control de motores DC y brushless
Rectificación síncrona
Electrónica industrial y de automoción
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