CSD16301Q2 (Texas Instruments) es un MOSFET de potencia NexFET de canal N de 25 V, en encapsulado SON 2 × 2 mm.

• Tensión drenador-fuente de 25 V
• RDS(on) de 23 mΩ a VGS = 4,5 V (19 mΩ a 8 V)
• Carga de puerta total de 2 nC · Qgd de 0,4 nC
• Corriente pulsada de 85 A · unión de −55 °C a 150 °C

Pedido mínimo: 10 unidades.

Datos según datasheet TI CSD16301Q2.