BC858CE6327 – Transistor Bipolar PNP de Uso General, Alta Ganancia, SOT-23

El BC858CE6327 es un transistor de unión bipolar (BJT) de canal PNP de silicio perteneciente a la serie BC858 fabricado por Infineon Technologies (o Nexperia) Diseñado en un encapsulado SOT-23 de montaje superficial, este dispositivo está optimizado para aplicaciones de conmutación de baja potencia y amplificación de pequeña señal gracias a su excelente linealidad, baja cifra de ruido y una clasificación de ganancia de corriente (hFE) extremadamente alta y controlada

Características principales

Tipo: Transistor bipolar de unión (BJT) PNP de pequeña señal

Tensión colector-emisor máxima (Vceo): -30 V

Tensión colector-base máxima (Vcbo): -30 V

Corriente de colector continua máxima (Ic): -100 mA (Capacidad de corriente de pico de hasta -200 mA)

Ganancia de corriente continua (hFE): 420 a 800 (Clasificación de ganancia clase C para máxima amplificación)

Tensión de saturación colector-emisor máxima (Vce(sat)): -0.3 V con una corriente de colector de -100 mA

Potencia de disipación total máxima (Ptot): 250 mW en condiciones estándar de montaje en placa

Encapsulado: SOT-23 (TO-236) de 3 pines para montaje superficial (SMD), sufijo E6327 = código específico de empaque en cinta y carrete estándar de alta velocidad

Frecuencia de transición (ft): 100 MHz típica para un excelente rendimiento en conmutación rápida

Aplicaciones

Etapas de amplificación de audio de bajo ruido y preamplificadores de señal

Circuitos lógicos de conmutación de pequeña señal y control de periféricos

Controladores de compuerta de pequeña potencia y switches de carga en inversores

Espejos de corriente y fuentes de corriente constante en circuitos analógicos

Unidades de control electrónico (ECU) automotrices y sistemas de automatización industrial