SI4410BDY-T1-E3 – Transistor MOSFET de Canal N, 30V, 10A, SO-8

El SI4410BDY-T1-E3 es un transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de canal N de la familia TrenchFET fabricado por Vishay Siliconix Diseñado en un encapsulado SO-8 de montaje superficial, este componente integra una tecnología avanzada de celda de alta densidad que minimiza la resistencia en conducción (RDS(on)) y permite manejar corrientes elevadas con una disipación térmica optimizada en circuitos de control de potencia compactos

Características principales

Tipo: Transistor MOSFET de canal N de alto rendimiento

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A a una temperatura de 25°C

Resistencia drenaje-fuente en conducción (Rds(on)): 0.0135 Ω con una tensión de compuerta de 10V

Tensión umbral de compuerta (Vgs(th)): 1.0V a 3.0V compatible con niveles lógicos estándar

Potencia de disipación máxima (Pd): 2.5 W en condiciones óptimas de montaje en placa

Encapsulado: SO-8 de 8 pines para montaje superficial (SMD), sufijo E3 = libre de plomo y compatible con RoHS

Configuración de pines: Distribución estándar SO-8 con pines múltiples para drenaje y fuente que mejoran la disipación de calor

Aplicaciones

Interruptor de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)

Convertidores CC-CC (DC-DC) en ordenadores portátiles y servidores

Control y conmutación de carga en sistemas de gestión de baterías

Controladores de motores de corriente continua de pequeña y mediana potencia

Sistemas de distribución de energía en equipos de telecomunicaciones