HUF75329S3ST – MOSFET Canal N, 100V, 75A, D-PAK (TO-252)

El HUF75329S3ST es un transistor MOSFET de canal N de alta corriente fabricado por Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor), en encapsulado D-PAK (TO-252) de montaje superficial. Diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia de alta eficiencia donde se requiere baja resistencia en conducción y alta corriente.

Características principales:

• Tipo: MOSFET canal N
• Tensión drenador-surtidor (VDS): 100V
• Corriente de drenador (ID): 75A
• Resistencia en conducción (RDS(on)): baja (ultraFET technology)
• Encapsulado: D-PAK / TO-252 (SMD) con pad térmico
• Alta velocidad de conmutación
• Diodo body integrado de recuperación rápida
• Compatible con procesos de soldadura por reflujo

Aplicaciones:

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
• Conversores DC-DC de alta corriente
• Control de motores DC y brushless
• Rectificación síncrona
• Electrónica industrial y de automoción