El BC850BE6327 es un transistor bipolar de unión (BJT) tipo NPN fabricado por Infineon Technologies, en encapsulado SOT-23 de montaje superficial. Diseñado para aplicaciones de amplificación de bajo ruido y conmutación de señal en circuitos de baja potencia.
Características principales:
Tipo: Transistor BJT NPN
Tensión colector-emisor (VCEO): 45V
Corriente de colector máxima (IC): 100mA
Ganancia de corriente (hFE): grupo B (200–450)
Encapsulado: SOT-23 (SMD)
Excelente rendimiento en baja frecuencia y audio
Compatible con procesos de soldadura por reflujo
Aplicaciones:
Amplificación de señal de bajo ruido
Conmutación de cargas ligeras
Circuitos de preamplificación de audio
Electrónica de consumo e industrial
Equipos de telecomunicaciones y medida
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